Low dimennsional solids

Informacje ogólne

Kod przedmiotu:	WTCNXCSD-LDS
Kod Erasmus / ISCED:	(brak danych) / (brak danych)
Nazwa przedmiotu:	Low dimennsional solids
Jednostka:	Wydział Nowych Technologii i Chemii
Grupy:
Punkty ECTS i inne:	(brak) Podstawowe informacje o zasadach przyporządkowania punktów ECTS: roczny wymiar godzinowy nakładu pracy studenta konieczny do osiągnięcia zakładanych efektów uczenia się dla danego etapu studiów wynosi 1500-1800 h, co odpowiada 60 ECTS; tygodniowy wymiar godzinowy nakładu pracy studenta wynosi 45 h; 1 punkt ECTS odpowiada 25-30 godzinom pracy studenta potrzebnej do osiągnięcia zakładanych efektów uczenia się; tygodniowy nakład pracy studenta konieczny do osiągnięcia zakładanych efektów uczenia się pozwala uzyskać 1,5 ECTS; nakład pracy potrzebny do zaliczenia przedmiotu, któremu przypisano 3 ECTS, stanowi 10% semestralnego obciążenia studenta. zobacz reguły punktacji
Język prowadzenia:	angielski
Rodzaj studiów:	III stopnia
Forma zajęć liczba godzin/rygor:	(tylko po angielsku) W16/x; E/8+ L/8+ S16+
Przedmioty wprowadzające:	(tylko po angielsku) Fundamentals of Mathematics. Prerequisites: standard integration, second order differential equa-tions, partial differential equations, Solid State Physics. Prerequisites: transport properties in solid state, optical properties
Autor:	(tylko po angielsku) prof. dr hab. inż. czł. rzecz. PAN Antoni Rogalski
Bilans ECTS:	(tylko po angielsku) 1. Participation in lectures /12 2. Lectures' self study / 4 3. Participation in laboratories / 30 4. Laboratories' self study / 5 5. Participation in consultations / 4 6. Exam preparation /4 7. Exam /2 Students worktime: 65/ 5 ECTS Lecturer participation: 48/ 4 ECTS Laboratories: 30/ 2.5 ECTS
Skrócony opis:	(tylko po angielsku) Modifications of semiconductor band structure Electron transport in low dimensional solids Strained layer superlatttices Optical properties of low dimensional structures Photonic devices
Pełny opis:	(tylko po angielsku) Modifications of semiconductor band structure Modifications by heterostructures Band structure in quantum wells Strained quantum wells Self-assembled quantum dots Electron transport in low dimensional solids Electron transport w quantum wells Electron transport in quantum wires and dots Strained layer superlatttices Technological issues InAs/GaSb type-II superlattices Optical properties of low dimensional structures Intersubband transitions Miniband transitions Low dimensional detectors and lasers Photonic devices Quantum well infrared detectors Type-II superlattice infrared detectors
Literatura:	(tylko po angielsku) Obligatory: J. Singh, Electronic and Optoelectronic Properties of Semiconductor Structures, Cambridge Uni-versity Press, Cambridge, 2003 M. Razeghi, Fundamentals of Solid State Engineering, Kluwer Academic Publishers, 2005 Complementary: Springer Handbook of Electronic and Photonic Materials, edited by S. Kasap i P. Capper, Spring-er, Heidelberg, 2006.
Efekty uczenia się:	(tylko po angielsku) D_W01 Advanced knowledge in technological sciences, especially materials science and solid state physics. D_W02 Advanced knowledge regarding newest achievements in new materials and technologies as well as research and measurement techniques. D_W03 Knowledge regarding methodology of scientific research in materials science and related subjects. D_U01 He/she has got skills connected with methodology of research in materials sciences, especially regarding new materials and technologies. D_U05 He/she can describe experimental procedure and report research activity. D_U06 He/she can design and perform material synthesis and characterization.
Metody i kryteria oceniania:	(tylko po angielsku) Effect D_W01, D_W02, D_W03 - credits in writing and oral, fulfillment of laboratory classes. Effect D_U01, D_U05, D_U06 - laboratory classes.

Przedmiot nie jest oferowany w żadnym z aktualnych cykli dydaktycznych.

Opisy przedmiotów w USOS i USOSweb są chronione prawem autorskim.
Właścicielem praw autorskich jest Wojskowa Akademia Techniczna.