Wojskowa Akademia Techniczna - Centralny System Uwierzytelniania
Strona główna

Low dimennsional solids

Informacje ogólne

Kod przedmiotu: WTCNXCSD-LDS
Kod Erasmus / ISCED: (brak danych) / (brak danych)
Nazwa przedmiotu: Low dimennsional solids
Jednostka: Wydział Nowych Technologii i Chemii
Grupy:
Punkty ECTS i inne: (brak) Podstawowe informacje o zasadach przyporządkowania punktów ECTS:
  • roczny wymiar godzinowy nakładu pracy studenta konieczny do osiągnięcia zakładanych efektów uczenia się dla danego etapu studiów wynosi 1500-1800 h, co odpowiada 60 ECTS;
  • tygodniowy wymiar godzinowy nakładu pracy studenta wynosi 45 h;
  • 1 punkt ECTS odpowiada 25-30 godzinom pracy studenta potrzebnej do osiągnięcia zakładanych efektów uczenia się;
  • tygodniowy nakład pracy studenta konieczny do osiągnięcia zakładanych efektów uczenia się pozwala uzyskać 1,5 ECTS;
  • nakład pracy potrzebny do zaliczenia przedmiotu, któremu przypisano 3 ECTS, stanowi 10% semestralnego obciążenia studenta.

zobacz reguły punktacji
Język prowadzenia: angielski
Rodzaj studiów:

III stopnia

Forma zajęć liczba godzin/rygor:

(tylko po angielsku) W16/x; E/8+ L/8+ S16+

Przedmioty wprowadzające:

(tylko po angielsku) Fundamentals of Mathematics. Prerequisites: standard integration, second order differential equa-tions, partial differential equations,

Solid State Physics. Prerequisites: transport properties in solid state, optical properties


Autor:

(tylko po angielsku) prof. dr hab. inż. czł. rzecz. PAN Antoni Rogalski

Bilans ECTS:

(tylko po angielsku) 1. Participation in lectures /12

2. Lectures' self study / 4

3. Participation in laboratories / 30

4. Laboratories' self study / 5

5. Participation in consultations / 4

6. Exam preparation /4

7. Exam /2


Students worktime: 65/ 5 ECTS

Lecturer participation: 48/ 4 ECTS

Laboratories: 30/ 2.5 ECTS

Skrócony opis: (tylko po angielsku)

Modifications of semiconductor band structure

Electron transport in low dimensional solids

Strained layer superlatttices

Optical properties of low dimensional structures

Photonic devices

Pełny opis: (tylko po angielsku)

Modifications of semiconductor band structure

Modifications by heterostructures

Band structure in quantum wells

Strained quantum wells

Self-assembled quantum dots

Electron transport in low dimensional solids

Electron transport w quantum wells

Electron transport in quantum wires and dots

Strained layer superlatttices

Technological issues

InAs/GaSb type-II superlattices

Optical properties of low dimensional structures

Intersubband transitions

Miniband transitions

Low dimensional detectors and lasers

Photonic devices

Quantum well infrared detectors

Type-II superlattice infrared detectors

Literatura: (tylko po angielsku)

Obligatory:

J. Singh, Electronic and Optoelectronic Properties of Semiconductor Structures, Cambridge Uni-versity Press, Cambridge, 2003

M. Razeghi, Fundamentals of Solid State Engineering, Kluwer Academic Publishers, 2005

Complementary:

Springer Handbook of Electronic and Photonic Materials, edited by S. Kasap i P. Capper, Spring-er, Heidelberg, 2006.

Efekty uczenia się: (tylko po angielsku)

D_W01 Advanced knowledge in technological sciences, especially materials science and solid state physics.

D_W02 Advanced knowledge regarding newest achievements in new materials and technologies as well as research and measurement techniques.

D_W03 Knowledge regarding methodology of scientific research in materials science and related subjects.

D_U01 He/she has got skills connected with methodology of research in materials sciences, especially regarding new materials and technologies.

D_U05 He/she can describe experimental procedure and report research activity.

D_U06 He/she can design and perform material synthesis and characterization.

Metody i kryteria oceniania: (tylko po angielsku)

Effect D_W01, D_W02, D_W03 - credits in writing and oral, fulfillment of laboratory classes.

Effect D_U01, D_U05, D_U06 - laboratory classes.

Przedmiot nie jest oferowany w żadnym z aktualnych cykli dydaktycznych.
Opisy przedmiotów w USOS i USOSweb są chronione prawem autorskim.
Właścicielem praw autorskich jest Wojskowa Akademia Techniczna.
ul. gen. Sylwestra Kaliskiego 2, 00-908 Warszawa 46 tel: +48 261 839 000 https://www.wojsko-polskie.pl/wat/ kontakt deklaracja dostępności mapa serwisu USOSweb 7.0.4.0-2 (2024-05-20)