Wojskowa Akademia Techniczna - Centralny System Uwierzytelniania
Strona główna

Growth and characterization of semiconductor materials

Informacje ogólne

Kod przedmiotu: WTCNXCSD-GC
Kod Erasmus / ISCED: (brak danych) / (brak danych)
Nazwa przedmiotu: Growth and characterization of semiconductor materials
Jednostka: Wydział Nowych Technologii i Chemii
Grupy:
Punkty ECTS i inne: (brak) Podstawowe informacje o zasadach przyporządkowania punktów ECTS:
  • roczny wymiar godzinowy nakładu pracy studenta konieczny do osiągnięcia zakładanych efektów uczenia się dla danego etapu studiów wynosi 1500-1800 h, co odpowiada 60 ECTS;
  • tygodniowy wymiar godzinowy nakładu pracy studenta wynosi 45 h;
  • 1 punkt ECTS odpowiada 25-30 godzinom pracy studenta potrzebnej do osiągnięcia zakładanych efektów uczenia się;
  • tygodniowy nakład pracy studenta konieczny do osiągnięcia zakładanych efektów uczenia się pozwala uzyskać 1,5 ECTS;
  • nakład pracy potrzebny do zaliczenia przedmiotu, któremu przypisano 3 ECTS, stanowi 10% semestralnego obciążenia studenta.
zobacz reguły punktacji
Język prowadzenia: angielski
Forma studiów:

stacjonarne
Rodzaj studiów:

III stopnia
Rodzaj przedmiotu:

obowiązkowy
Forma zajęć liczba godzin/rygor:

(tylko po angielsku) W22/x; L/100+
Przedmioty wprowadzające:

(tylko po angielsku) Fundamentals of solid state physics / Preliminary requirements: energy band gap structure, fundamentals of semiconductors.
Programy:

(tylko po angielsku) Semester II; Material Science, Photonic Systems Dedicated to Telecommunication and Detection

Autor:

(tylko po angielsku) Piotr Martyniuk, PhD
Bilans ECTS:

(tylko po angielsku) 1. Participation in lectures / 22

2. Lectures' self study / 10

3. Participation in laboratories / 100

4. Laboratories' self study / 20

5. Participation in consultations / 10

6. Exam preparation / 10

7. Exam /2


Students worktime: 174 / 4 ECTS

Lecturer participation:134/ 3 ECTS

Laboratories: 100/ 2 ECTS
Skrócony opis: (tylko po angielsku)

Fundamental properties of A3B5 and A2B6 compounds used in optoelectronics.

Low dimensional structures.

Graphene.

Photovoltaics.

Organic materials in optoelectronics.

MOCVD (HgCdTe) and MBE (T2SLs InAs/GaSb on GaAs and GaSb) technology. Characterization of the epi-layers and detectors.

Pełny opis: (tylko po angielsku)

Lectures:

1. Optoelectronics - historical approach. Silicon as optoelectronic material.

2. A3B5 nitrides - blue optoelectronics.

3. Heterostructures and barrier structures in designing of optoelectronic devices (lasers, detectors).

4. HgCdTe (A2B6) - MWIR and LWIR IR detectors. InAsSb/T2SLs InAs/GaSb/(A3B5) - MWIR and LWIR detectors.

5. Low dimensional structures in optoelectronics (QWs, QDs, SLs).

6. Graphene. New photovoltaic materials - third generation solar cells.

7. Organic materials in optoelectronics.

8. Crystal growth.

9. Familiarization with MOCVD and MBE.

10. Growth of epi-layers by MOCVD and MBE.

11. Characterization of optoelectronics materials.

Laboratory:

1. Growth of HgCdTe epi-layers by MOCVD.

2. MBE preparation for the growth (baking, calibration, measurements of the flux, vaccum etc...)

3. Growth of GaSb buffer layers on GaAs.

4. n and p-type doping in A3B5 - T2SLs InAs/GaSb.

5. Growth bulk A3B5 materials on GaAs and GaSb.

6. Growth of T2SLs InAs/GaSb epi-layers by MBE on GaAs and GaSb.

7. Hall effect measurements.

8. Measurements of I-V characteristics of IR detectors.

9. Measurements of spectral response characteristics of IR detectors.

10. Measurements of time response characteristics of IR detectors.

11. Measurements of carrier diffusion length and epi-layers surface morphology.

12. XRD characterization of the epi-layers.
Literatura: (tylko po angielsku)

S. Kasap i P. Capper, Springer Handbook of Electronic and Photonic Materials, Springer, Heidelberg, 2006.

Marian A. Herman, Helmut Sitter, Molecular Beam Epitaxy Fundamentals and Current Status, ISBN: 978-3-642-80062-7 (Print) 978-3-642-80060-3
Efekty uczenia się: (tylko po angielsku)

D_W01 Advanced knowledge in technological sciences, especially materials science and solid state physics.

D_W02 Advanced knowledge regarding newest achievements in new materials and technologies as well as research and measurement techniques.

D_W03 Knowledge regarding methodology of scientific research in materials science and related subjects.

D_U01 He/she has got skills connected with methodology of research in materials sciences, especially regarding new materials and technologies.

D_U05 He/she can describe experimental procedure and report research activity.

D_U06 He/she can design and perform material synthesis and characterization.

Metody i kryteria oceniania: (tylko po angielsku)

Effect D_W01, D_W02, D_W03 - credits in writing and oral, fulfillment of laboratory classes.

Effect D_U01, D_U05, D_U06 - laboratory classes.
Przedmiot nie jest oferowany w żadnym z aktualnych cykli dydaktycznych.
Opisy przedmiotów w USOS i USOSweb są chronione prawem autorskim.
Właścicielem praw autorskich jest Wojskowa Akademia Techniczna.
ul. gen. Sylwestra Kaliskiego 2, 00-908 Warszawa 46 tel: +48 261 839 000 https://www.wojsko-polskie.pl/wat/ kontakt deklaracja dostępności mapa serwisu USOSweb 7.1.2.0-4 (2025-05-14)