Elementy elektroniczne 2
Informacje ogólne
Kod przedmiotu: | WELEXWSI-EE2 |
Kod Erasmus / ISCED: | (brak danych) / (brak danych) |
Nazwa przedmiotu: | Elementy elektroniczne 2 |
Jednostka: | Wydział Elektroniki |
Grupy: | |
Punkty ECTS i inne: |
(brak)
|
Język prowadzenia: | polski |
Forma studiów: | stacjonarne |
Rodzaj studiów: | I stopnia |
Rodzaj przedmiotu: | obowiązkowy |
Forma zajęć liczba godzin/rygor: | W 14/x ; L 16/+; Razem: 30 |
Przedmioty wprowadzające: | 1. Matematyka. Wymagania wstępne: zaliczenie kursu wg przyjętego sylabusa 2. Fizyka. Wymagania wstępne: zaliczenie kursu wg przyjętego sylabusa 3. Obwody i Sygnały. Wymagania wstępne: zaliczenie kursu wg przyjętego sylabusa |
Programy: | Semestr III |
Autor: | dr hab.inż. Kazimierz J. Pluciński |
Bilans ECTS: | 1. Udział w wykładach/14 2. Samodzielne studiowanie tematyki wykładów/14 3. Udział w laboratoriach/16 4. Samodzielne przygotowanie do laboratoriów/12 5. Udział w konsultacjach/14 6. Przygotowanie do egzaminu/5 7. Udział w zaliczeniu/2 Sumaryczne obciążenie studenta: 75/2 ECTS Zajęcia z udziałem nauczycieli:1.+3.+5.+7.=46/2 ECTS Zajęcia o charakterze praktycznym: 3.+4.=28/1.5 ECTS |
Skrócony opis: |
W ramach przedmiotu Elementy Elektroniczne 2 omawiane są tematy: tranzystory polowe złączowe; fizyka powierzchni półprzewodników; budowa, zasada działania tranzystorów unipolarnych z izolowaną bramką; struktury CCD; tetroda MOS; przyrządy mikrofalowe aktywne; tranzystory mikrofalowe; elementy przełącznikowe; półprzewodnikowe elementy optoelektroniczne; elementy bierne monolitycznych układów scalonych. |
Pełny opis: |
Wykłady / metody dydaktyczne: werbalno-wizualna prezentacja treści programowych z wykorzystaniem technik audiowizualnych; podanie informacji teoretycznych i wskazanie przykładów ilustrujących teorię; podanie tematów do samodzielnego studiowania. Tematy kolejnych zajęć:: 1 Tranzystory polowe złączowe: podstawowe konstrukcje; SIT, teknetron. Praca statyczna; praca dynamiczna z małymi sygnałami; praca dynamiczna nieliniowa. (1 godz. lekc.) 2 Fizyka powierzchni półprzewodników. Fizyka warstw granicznych izolator-półprzewodnik (1 godz. lekc.) 3 Budowa, zasada działania tranzystorów unipolarnych z izolowaną bramką. (2 godz. lekc.) 4 Tranzystory unipolarne z izolowaną bramką. Praca dynamiczna, parametry mało-sygnałowe, elektryczne schematy zastępcze dla małych, średnich i wielkich częstotliwości. Praca wielko-sygnałowa. (2 godz. lekc.) 5 Struktura CCD, tetroda MOS, budowa, podstawowe właściwości i parametry.(1 godz. lekc.) 6 Przyrządy mikrofalowe aktywne. Diody typu TE (Gunna): konstrukcja; zasada działania, tworzenie się i unoszenie domen, przebieg prądu w funkcji czasu. Rodzaje pracy diod TE. (2 godz. lekc.) 7 Diody przelotowe: lawinowo-przelotowe, iniekcyjno-przelotowe. Rodzaje pracy diod przelotowych. (1 godz. lekc.) 8 Tranzystory mikrofalowe: MESFET, MOSFET; konstrukcja, właściwości, zastosowania. (1 godz. lekc.) 9 Elementy przełącznikowe: tranzystory jedno-złączowe, tyrystory. Konstrukcje, właściwości zastosowania. Klasyfikacja tyrystorów. (1 godz. lekc.) 10 Półprzewodnikowe elementy optoelektroniczne: fotodiody, fototranzystory, fototyrystory, transoptory, fotoogniwa. Konstrukcje, właściwości, zastosowania. Półprzewodnikowe elementy optoelektroniczne: źródła światła. Konstrukcje, właściwości, zastosowania. (1 godz. lekc.) 11 Elementy bierne monolitycznych układów scalonych. (1 godz. lekc.) Laboratoria: Ćwiczenia laboratoryjne mają służyć potwierdzeniu i poszerzeniu wiedzy zdobytej na wykładach. Tematyka kolejnych ćwiczeń laboratoryjnych (po cztery godziny lekcyjne): 1. Parametry dynamiczne tranzystorów bipolarnych. 2. Charakterystyki i parametry tranzystorów unipolarnych. Pomiary i wyznaczanie charakterystyk tranzystora MOS. 3. Charakterystyki i parametry półprzewodnikowych elementów przełączających. 4. Charakterystyki i parametry półprzewodnikowych elementów optoelektronicznych. |
Literatura: |
podstawowa: Pluciński K.: „Przyrządy półprzewodnikowe” – Wydanie II – WAT, 2000, S-56713 Pluciński K. „Elementy elektronowe” Cz.I – WAT, 1991, S-50416 Brejwo W. i inni: „Elementy elektroniczne: laboratorium - WAT, 2008, S-63506 uzupełniająca: Dobrowolski A. i inni: „Elektronika – ależ to bardzo proste” – BTC, 2013. J. Hennel Podstawy elektroniki półprzewodnikowej, Wyd. 3, Warszawa, WNT, 2003, 58751 Dobrowolski A. i inni: „Elektronika – ależ to bardzo proste” – BTC, 2013. Klamka J. „Heterozłączowe przyrządy półprzewodnikowe na zakres mikrofal i fal milimetrowych” – Ofic. wyd. „MH” Warszawa – 2002, 59807 Marciniak W. "Przyrządy półprzewodnikowe MOS", Wyd. 3 zmien. WNT, Warszawa, 1991. 49945 Marciniak W. „Przyrządy półprzewodnikowe i układy scalone”, III wyd. – WNT, Warszawa, 1987 Marciniak W. „Elementy półprzewodnikowe” – WAT, 1979, S-41728 |
Efekty uczenia się: |
W1/ ma wiedzę w zakresie matematyki niezbędną do: opisu i analizy działania elementów elektronicznych a także podstawowych zjawisk fizycznych w nich występujących/ K_W01+ W2/ ma wiedzę w zakresie fizyki w zakresie niezbędnym do zrozumienia podstawowych zjawisk fizycznych występujących w elementach elektronicznych/ K_W02++ W3/ ma uporządkowaną i podbudowaną teoretycznie wiedzę w zakresie zasad działania elementów elektronicznych i optoelektronicznych/K_W11+++ W4/ ma elementarną wiedzę w zakresie wytwarzania elementów elektronicznych i układów scalonych/K_W14+ U1/ potrafi pozyskiwać informacje z literatury, baz danych i innych źródeł; potrafi integrować uzyskane informacje, dokonywać ich interpretacji, a także wyciągać wnioski oraz formułować i uzasadniać opinie/K_U01+ U2/potrafi korzystać z kart katalogowych i not aplikacyjnych w celu dobrania odpowiednich komponentów projektowanego układu lub systemu/K_U16++ K1/ ma świadomość odpowiedzialności za pracę własną oraz gotowość podporządkowania się zasadom pracy w zespole i ponoszenia odpowiedzialności za wspólnie realizowane zadania/K_K04 + |
Metody i kryteria oceniania: |
Przedmiot zaliczany jest na podstawie: egzaminu w semestrze II i zaliczenia w semestrze III - Egzamin w semestrze II jest przeprowadzany w formie pisemnej i ustnej. Warunkiem dopuszczenia do części ustnej jest pozytywna ocena z części pisemnej. - Warunkiem dopuszczenia do egzaminu jest zaliczenie ćwiczeń laboratoryjnych. - Każde ćwiczenie podlega zaliczeniu. Podstawą do zaliczenia jest uzyskanie pozytywnej oceny z pisemnego kolokwium wstępnego oraz oceny za wykonanie ćwiczenia i sprawozdania. Ocena końcowa jest średnią z wszystkich ocen uzyskanych podczas zajęć laboratoryjnych. - Zaliczenie w semestrze III przeprowadzane jest w formie pisemnej i ustnej. Warunkiem dopuszczenia do części ustnej jest pozytywna ocena z części pisemnej. Warunkiem koniecznym do zaliczenia przedmiotu w semestrze III jest: pozytywna ocena z egzaminu z oraz zaliczenie ćwiczeń laboratoryjnych w semestrze III. Efekty W1-W3 ora W5 sprawdzane są w czasie ćwiczeń laboratoryjnych oraz eg-zaminem pisemnym i ustnym; Efekty W4, W6, U1, U2 oraz K1 sprawdzane są w czasie ćwiczeń laboratoryjnych. |
Praktyki zawodowe: |
nie dotyczy |
Właścicielem praw autorskich jest Wojskowa Akademia Techniczna.