Wojskowa Akademia Techniczna - Centralny System Uwierzytelniania
Strona główna

Elementy elektroniczne 2

Informacje ogólne

Kod przedmiotu: WELEXCSI-EE2
Kod Erasmus / ISCED: (brak danych) / (brak danych)
Nazwa przedmiotu: Elementy elektroniczne 2
Jednostka: Wydział Elektroniki
Grupy:
Punkty ECTS i inne: (brak) Podstawowe informacje o zasadach przyporządkowania punktów ECTS:
  • roczny wymiar godzinowy nakładu pracy studenta konieczny do osiągnięcia zakładanych efektów uczenia się dla danego etapu studiów wynosi 1500-1800 h, co odpowiada 60 ECTS;
  • tygodniowy wymiar godzinowy nakładu pracy studenta wynosi 45 h;
  • 1 punkt ECTS odpowiada 25-30 godzinom pracy studenta potrzebnej do osiągnięcia zakładanych efektów uczenia się;
  • tygodniowy nakład pracy studenta konieczny do osiągnięcia zakładanych efektów uczenia się pozwala uzyskać 1,5 ECTS;
  • nakład pracy potrzebny do zaliczenia przedmiotu, któremu przypisano 3 ECTS, stanowi 10% semestralnego obciążenia studenta.

zobacz reguły punktacji
Język prowadzenia: polski
Forma studiów:

stacjonarne

Rodzaj studiów:

I stopnia

Rodzaj przedmiotu:

obowiązkowy

Forma zajęć liczba godzin/rygor:

W 14/x ; L 16/+; Razem: 30

Przedmioty wprowadzające:

1. Matematyka. Wymagania wstępne: zaliczenie kursu wg przyjętego sylabusa

2. Fizyka. Wymagania wstępne: zaliczenie kursu wg przyjętego sylabusa

3. Obwody i Sygnały. Wymagania wstępne: zaliczenie kursu wg przyjętego sylabusa


Programy:

Semestr III

Autor:

dr hab.inż. Kazimierz J. Pluciński

Bilans ECTS:

1. Udział w wykładach/14

2. Samodzielne studiowanie tematyki wykładów/14

3. Udział w laboratoriach/16

4. Samodzielne przygotowanie do laboratoriów/12

5. Udział w konsultacjach/14

6. Przygotowanie do egzaminu/5

7. Udział w zaliczeniu/2

Sumaryczne obciążenie studenta: 75/2 ECTS

Zajęcia z udziałem nauczycieli:1.+3.+5.+7.=46/2 ECTS

Zajęcia o charakterze praktycznym: 3.+4.=28/1.5 ECTS




Skrócony opis:

W ramach przedmiotu Elementy Elektroniczne 2 omawiane są tematy: tranzystory polowe złączowe; fizyka powierzchni półprzewodników; budowa, zasada działania tranzystorów unipolarnych z izolowaną bramką; struktury CCD; tetroda MOS; przyrządy mikrofalowe aktywne; tranzystory mikrofalowe; elementy przełącznikowe; półprzewodnikowe elementy optoelektroniczne; elementy bierne monolitycznych układów scalonych.

Pełny opis:

Wykłady / metody dydaktyczne: werbalno-wizualna prezentacja treści programowych z wykorzystaniem technik audiowizualnych; podanie informacji teoretycznych i wskazanie przykładów ilustrujących teorię; podanie tematów do samodzielnego studiowania.

Tematy kolejnych zajęć::

1 Tranzystory polowe złączowe: podstawowe konstrukcje; SIT, teknetron. Praca statyczna; praca dynamiczna z małymi sygnałami; praca dynamiczna nieliniowa. (1 godz. lekc.)

2 Fizyka powierzchni półprzewodników. Fizyka warstw granicznych izolator-półprzewodnik (1 godz. lekc.)

3 Budowa, zasada działania tranzystorów unipolarnych z izolowaną bramką. (2 godz. lekc.)

4 Tranzystory unipolarne z izolowaną bramką. Praca dynamiczna, parametry mało-sygnałowe, elektryczne schematy zastępcze dla małych, średnich i wielkich częstotliwości. Praca wielko-sygnałowa. (2 godz. lekc.)

5 Struktura CCD, tetroda MOS, budowa, podstawowe właściwości i parametry.(1 godz. lekc.)

6 Przyrządy mikrofalowe aktywne.

Diody typu TE (Gunna): konstrukcja; zasada działania, tworzenie się i unoszenie domen, przebieg prądu w funkcji czasu. Rodzaje pracy diod TE. (2 godz. lekc.)

7 Diody przelotowe: lawinowo-przelotowe, iniekcyjno-przelotowe. Rodzaje pracy diod przelotowych. (1 godz. lekc.)1

8 Tranzystory mikrofalowe: MESFET, MOSFET; konstrukcja, właściwości, zastosowania. (1 godz. lekc.)

9 Elementy przełącznikowe: tranzystory jedno-złączowe, tyrystory. Konstrukcje, właściwości zastosowania. Klasyfikacja tyrystorów. (1 godz. lekc.)

10 Półprzewodnikowe elementy optoelektroniczne: fotodiody, fototranzystory, fototyrystory, transoptory, fotoogniwa. Konstrukcje, właściwości, zastosowania. Półprzewodnikowe elementy optoelektroniczne: źródła światła. Konstrukcje, właściwości, zastosowania. (1 godz. lekc.)

11 Elementy bierne monolitycznych układów scalonych. (1 godz. lekc.)

Laboratoria:

Ćwiczenia laboratoryjne mają służyć potwierdzeniu i poszerzeniu wiedzy zdobytej na wykładach. Tematyka kolejnych ćwiczeń laboratoryjnych (po cztery godziny lekcyjne):

1. Parametry dynamiczne tranzystorów bipolarnych.

2. Charakterystyki i parametry tranzystorów unipolarnych. Pomiary i wyznaczanie charakterystyk tranzystora MOS.

3. Charakterystyki i parametry półprzewodnikowych elementów przełączających.

4. Charakterystyki i parametry półprzewodnikowych elementów optoelektronicznych.

Literatura:

podstawowa:

Pluciński K.: „Przyrządy półprzewodnikowe” – Wydanie II – WAT, 2000, S-56713

Pluciński K. „Elementy elektronowe” Cz.I – WAT, 1991, S-50416

Brejwo W. i inni: „Elementy elektroniczne: laboratorium - WAT, 2008, S-63506

uzupełniająca:

Dobrowolski A. i inni: „Elektronika – ależ to bardzo proste” – BTC, 2013.

J. Hennel Podstawy elektroniki półprzewodnikowej, Wyd. 3,

Warszawa, WNT, 2003, 58751

Dobrowolski A. i inni: „Elektronika – ależ to bardzo proste” – BTC, 2013.

Klamka J. „Heterozłączowe przyrządy półprzewodnikowe na zakres mikrofal i fal milimetrowych” – Ofic. wyd. „MH” Warszawa – 2002, 59807

Marciniak W. "Przyrządy półprzewodnikowe MOS", Wyd. 3 zmien. WNT, Warszawa, 1991. 49945

Marciniak W. „Przyrządy półprzewodnikowe i układy scalone”, III wyd. – WNT, Warszawa, 1987

Marciniak W. „Elementy półprzewodnikowe” – WAT, 1979, S-41728

Efekty uczenia się:

W1/ ma wiedzę w zakresie matematyki niezbędną do:

opisu i analizy działania elementów elektronicznych a także podstawowych zjawisk fizycznych w nich występujących/ K_W01+

W2/ ma wiedzę w zakresie fizyki w zakresie niezbędnym do zrozumienia podstawowych zjawisk fizycznych występujących w

elementach elektronicznych/ K_W02++

W3/ ma uporządkowaną i podbudowaną teoretycznie wiedzę w

zakresie zasad działania elementów elektronicznych i

optoelektronicznych/K_W11+++

W4/ ma elementarną wiedzę w zakresie wytwarzania elementów

elektronicznych i układów scalonych/K_W14+

U1/ potrafi pozyskiwać informacje z literatury, baz danych i innych źródeł; potrafi integrować uzyskane informacje, dokonywać ich interpretacji, a także wyciągać wnioski oraz formułować i uzasadniać opinie/K_U01+

U2/potrafi korzystać z kart katalogowych i not aplikacyjnych w

celu dobrania odpowiednich komponentów projektowanego

układu lub systemu/K_U16++

K1/ ma świadomość odpowiedzialności za pracę własną oraz

gotowość podporządkowania się zasadom pracy w zespole i

ponoszenia odpowiedzialności za wspólnie realizowane

zadania/K_K04 +

Metody i kryteria oceniania:

Przedmiot zaliczany jest na podstawie: egzaminu w semestrze II i zaliczenia w semestrze III

- Egzamin w semestrze II jest przeprowadzany w formie pisemnej i ustnej. Warunkiem dopuszczenia do części ustnej jest pozytywna ocena z części pisemnej.

- Warunkiem dopuszczenia do egzaminu jest zaliczenie ćwiczeń laboratoryjnych.

- Każde ćwiczenie podlega zaliczeniu. Podstawą do zaliczenia jest uzyskanie pozytywnej oceny z pisemnego kolokwium wstępnego oraz oceny za wykonanie ćwiczenia i sprawozdania.

Ocena końcowa jest średnią z wszystkich ocen uzyskanych podczas zajęć laboratoryjnych.

- Zaliczenie w semestrze III przeprowadzane jest w formie pisemnej i ustnej. Warunkiem dopuszczenia do części ustnej jest pozytywna ocena z części pisemnej.

Warunkiem koniecznym do zaliczenia przedmiotu w semestrze III jest: pozytywna ocena z egzaminu z oraz zaliczenie ćwiczeń laboratoryjnych w semestrze III.

Efekty W1-W3 ora W5 sprawdzane są w czasie ćwiczeń laboratoryjnych oraz eg-zaminem pisemnym i ustnym;

Efekty W4, W6, U1, U2 oraz K1 sprawdzane są w czasie ćwiczeń laboratoryjnych.

Praktyki zawodowe:

nie dotyczy

Przedmiot nie jest oferowany w żadnym z aktualnych cykli dydaktycznych.
Opisy przedmiotów w USOS i USOSweb są chronione prawem autorskim.
Właścicielem praw autorskich jest Wojskowa Akademia Techniczna.
ul. gen. Sylwestra Kaliskiego 2, 00-908 Warszawa 46 tel: +48 261 839 000 https://www.wojsko-polskie.pl/wat/ kontakt deklaracja dostępności USOSweb 7.0.1.0-2 (2024-02-19)