Źródła promieniowania E-M

stacjonarne

I stopnia

obowiązkowy

W 30/x, C 14/+, L 16/+, razem: 60 godz., 4 pkt ECTS

IOEVXCSI - Optoelektronika

Materiał przedmiotu obejmuje wybrane zagadnienia podstaw fizycznych budowy, przykładów konstrukcji i opisu zasady działania źródeł promieniowania E-M pozwalających na uzyskanie emisji w zakresie spektralnym obejmującym długości fal od promieniowania γ do promieniowania mikrofalowego. Istotną częścią omawianych zagadnień są emitery półprzewodnikowe. Szczegółowo omówione zostaną konstrukcje diod LED, w tym diod białych realizowanych zarówno w systemie RGB, jak również z luminoforem COB. Omówione zostaną konstrukcje diod LED emitujących w zakresie UV – w tym przeznaczonych do sterylizacji pomieszczeń szpitalnych oraz do utwardzania materiałów w wybranych procesach technologicznych. W tej grupie emiterów szczególna uwaga poświęcona zostanie laserom półprzewodnikowym emitującym promieniowanie w zakresie spektralnym 300 nm do 30 μm. W zakresie terahercowym i mikrofalowym omówione zostaną wybrane emitery i ich przykładowe aplikacje.